半導体ウエハの研削加工技術開発のために砥石作業面の状態を迅速かつ正確に把握する計測手法が求められている．サブミクロンからミクロンスケ-ルの物体の混合物である砥石の表面は通常の光学顕微鏡では物体識別が困難であり，その工具状態を評価することも難しい．顕微Ramanイメ-ジングはワイドバンドギャップ半導体ウエハの加工変質層の非破壊的観測などに用いられる計測技術であり，Ramanピ-クを標識とした物体識別やピ-クシフトからの残留応力の計測などを行うことができる．本報では，シリコンウエハ研削用ダイヤモンド砥石を測定物として，その作業面に対する計測特性を調査した．波数1333 cm-1のC-C結合に由来するRamanピ-ク帯と波数 520 cm-1のSi-SiおよびSi-O結合に由来するRamanピ-ク帯のピ-ク特徴量から生成されるRamanイメ-ジにより，砥粒，結合剤，切りくずなどの物体識別を行うための各ピ-ク特徴量の分類条件が求められた．台金に取り付けられたままの観測で従来の観測法より明瞭で信頼性の高い物体識別が可能であることが示された．
