抄録
イネ葯培養における低温処理の効果を,カルス形成率に対する、葯の温度反応の観点から検討した.花粉形成期の低温抵抗性.の違いによって選んだ7品種を実験に供試した(Table1).低温処理は,3通りの温度区(5,10,15℃),5通りの処理日数区(8,16,24,32,40)を設定して与えた.葉耳間長2～5cmの時に,幼穂を含んだ葉鞘をビニール袋に入れて低温処理をした.処理後,数個の穎花を取り出して1核期の花粉であることを確認してから,葯をN6カルス形成培地(2,4-D2mg/1,ショ糖30g/l,寒天10g/lを添加)に置床した.各処理区ごとに約200個の葯を使用した.培養は,25℃,照度12.5w/m2,日長14時間の条件で行った.カルス形成率(置床葯当たりのカルス形成葯数の割合)は,全品種,全処理区で8日目から32日目までほぼ直線的に上昇した(Fig.1).そこで,置床後32日目のカルス形成率について,以下の検討を行った.
