GaAlAs半導体レーザーの象牙質・歯髄複合体に対する硬組織形成促進作用

抄録

GaAlAs半導体レーザー（810 nm）は象牙質・歯髄複合体での硬組織形成を促進させることから，歯髄保存療法の予知性向上に寄与する可能性がある．その機構は，歯髄の可逆性組織傷害に対する修復機転に基づくと思われるが，詳細は明らかでない．そこで著者らは，同レーザーをラット臼歯に照射後，象牙芽細胞分化マーカー（熱ショックタンパク25）発現細胞の挙動や非コラーゲン性基質タンパク質の発現動態を解析した．本稿ではその成績を概説するとともに，同レーザーによる硬組織形成促進機構を考察する．