1404 太陽電池向けSi量子ドットのバンドギャップに関する第一原理解析(OS14.シリコンとシミュレーション(2),OS・一般セッション講演)
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太陽電池の変換効率向上が急務となっている.その手段として,量子ドットが注目されている.量子ドットとは一般に数nm〜数十nmの半導体結晶を指す.ドットの大きさやドット間隔を変えることで,バンド構造やバンドギャップを変化できる.これにより,幅広い波長帯の吸収が可能となる.本研究では,主要な半導体材料であるSiとGe,さらに同族元素のSnからなるダイヤモンド構造を有する粒径5Å程度の量子ドットを計算モデルとした.そして,ドット間隔を変化させ,第一原理計算によりバンドギャップとバンド構造を求めた.量子細線に関する第一原理計算も行った.
