抄録
これまで我々は、イネのUVB耐性獲得に関わる主因子の1つは、UVBによって誘発されるシクロブタン型ピリミジン二量体(CPD)を修復するCPD光回復酵素であることを明らかにした。しかし、その他のUVB耐性因子は明らかになっていない。そこで新たなUVB耐性遺伝子資源の探索を目的に、UVB耐性を示すイネ・ササニシキにカーボンイオンビーム（320 MeV：12C6+, 80 Gy）を照射し、ササニシキよりもUVB耐性、または感受性を示す変異体の選抜を行った。その結果、UVB感受性を示す変異体2系統、耐性を示す変異体3系統の選抜に成功した。我々は、得られた系統の中でもUVB耐性を示すイネ変異体UVTSa-319（UV tolerant Sasanishiki-319）に着目し、変異原因遺伝子の同定を目的に特徴解析を行った。親株のササニシキと比較してUVTSa-319は既知のUVB耐性因子であるUV吸収物質の蓄積量、CPDおよび6-4光産物の光修復・暗修復活性に変異は認められなかった。また、ゲノムDNAを用いたアレイComparative Genomic Hybridization (CGH)により変異・欠損領域の推定を行ったところ、第7染色体上に約40 kbpの欠失があり、その領域に機能未知の2つの遺伝子が含まれていた。本大会では、新規なUVB耐性遺伝子の可能性に関して考察する。
