抄録
半導体フォトカソードは，素粒子実験用の電子源として四半世紀以上に渡り研究開発が進み，スピン偏極やパルス構造など多彩かつ高度な電子ビームの生成が実現可能となった．しかしながら，半導体フォトカソードでは機能性表面の劣化に伴う寿命問題を抱えているだけでなく，その電子銃装置もコンパクト化と低コスト化に課題を持つ．本研究開発では，GaN系半導体材料に着目することで半導体フォトカソードの高耐久化を実現し，その高耐久性が電子銃のコンパクト・低コスト化にも寄与することを明らかにした．同時に，電子ビーム源の事業化を目的とした研究開発型のスタートアップを起業することで，これらの研究開発の成果の最大化を推し進めている．
