表面科学
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特集 : 格子不整合系におけるエピタキシー
イオン結晶のヘテロエピタキシーと界面ひずみ
斉木 幸一朗
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2000 年 21 巻 6 号 p. 326-331

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抄録

This article describes the growth feature of alkali halide single crystalline films in order to discuss the heteroepitaxy of ionic crystals. With alkali halides heteroepitaxy is realized even for the lattice misfit as large as several tens %. Growth mode is classified into three groups according to the lattice misfit. Lattice strain was discussed for both continuous and discontinuous interfaces. A perfect pseudomorphism is not observed even for the continuous interface and a few % strain exists even for the discontinuous interface.

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