表面科学
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SiC表面分解法を利用した絶縁基板上へのグラフェン形成に関する研究
北田 祐介佐々木 悠祐大久保 雄平碇 智徳内藤 正路中尾 基
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2011 年 32 巻 7 号 p. 459-460

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抄録

We have investigated the formation of graphene on the SiO2/Si (111) surfaces using scanning tunneling microscopy. When the SiC (111) film [1500 nm] formed on the SiO2 surfaces was annealed at 980oC, graphene layer was obtained on the SiC surface. When the thickness of the SiC film was 5 nm, the graphene was not observed. However, graphene layer was obtained on the SiO2 surfaces after annealing the C-covered SiC (111) [5 nm] film on the SiO2/Si (111) surfaces at 980oC.

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