シリコン表面再配列

電子顕微鏡は表面過程をいかにして捕えたか

抄録

シリコン (Si) の表面はバルクとは異なった原子配列-再配列構造-をもつ。 (111) 表面の7×7再配列構造や (100) 表面の2×1構造が原子レベルで解明され, 表面構造の理解が急速に進展した。それにともない, 吸着や薄膜超格子形成過程も原子レベルで検討される様になった。この10年間における表面結晶物理学の進展の一端として, 超高真空電子顕微鏡を用いて “その場” 観察した表面再配列構造ならびに吸着構造についての研究の一部を解説し, また, 未解決の問題として, 特に興味ある微粒子表面の特異性について紹介する。