Surface-sensitive XAFS/DAFSによる半導体表画研究
1997 年 18 巻 1 号 p. 2-8
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1997 年 18 巻 1 号 p. 2-8
Surface-sensitive XAFSおよびDAFSを用いた半導体表面研究の現状と将来の展望について報告する。XAFSによる硬X線領域の実用的な半導体表面の局所構造研究は挿入光源の利用による高輝度ビームと表面の選択励起により可能になった。Si(001)-(2×1)上のGe原子層への適用を例としSurface-sensitive XAFSの原理を説明し得られた結果を報告する。Ge原子をプローブとすることによってダイマー結合異常や表面置換(界面の異種原子がおきかわること)など表面の歪みによって生じる特徴的な構造変化をみいだした。X線回折強度にあらわれる微細構造(DAFS)はサイト選択性という特徴をもつ新しい構造解析法である。その原理を簡単に説明し,半導体表面・界面を中心に具体的な応用例をあげる。第3世代蓄積リングとチューナブルX線アンジュレーターの利用による将来展望についてもふれる。
