ホウ素添加ホモエピタキシャル成長ダイヤモンド薄膜の過渡光容量法を用いた結晶欠陥評価

抄録

ダイヤモンド薄膜は次世代パワー・高周波デバイス用材料として期待されている。本研究では過渡光分光法による非輻射欠陥評価系の開発を行い、マイクロ波プラズマCVD法により作製したホウ素ドープダイヤモンド薄膜の結晶欠陥評価を行った。その結果、価電子帯の上端から約1.2eVおよび0.8eVの深さにアクセプタ型の非輻射欠陥が存在することを明らかにした、さらにそれらの欠陥密度および光イオン化断面積を評価した。