化学気相成長法により成膜した大規模連続二硫化モリブデン膜の走査プローブ法による形態評価

抄録

特異的な電気特性より注目されている遷移金属ダイカルコゲナイド等の原子薄膜半導体材料の応用展開への課題の一つである、「大規模連続膜」における電気特性低下の要因になるドメイン境界の制御・低減に向けて、大規模連続二硫化モリブデン膜の形態評価を走査プローブ法で実施した結果を報告する。