日本表面真空学会学術講演会要旨集
Online ISSN : 2434-8589
2020年日本表面真空学会学術講演会
セッションID: 1Ea05Y
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11月19日
高密度収束プラズマスパッタリング装置を用いた室温窒化ガリウム成膜の窒素ガス流量比依存性
*本村 大成田原 竜夫藤尾 侑輝奥山 哲也
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抄録

本研究の目的は,新たに開発した高密度収束プラズマスパッタリング装置を用いて,液体ガリウム(Ga)ターゲットを高密度プラズマでスパッタリングすることで窒化ガリウム(GaN)膜を成膜し,本装置のGaN成膜特性を明らかにすることである.本研究では,窒素-アルゴン混合ガス中の窒素ガス流量比のGaN薄膜のc軸配向度に及ぼす影響について調べ,窒素100%時に配向度が向上する結果を得たので報告する.

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© 2020 日本表面真空学会学術講演会
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