高周波マグネトロンスパッタにおけるチタン薄膜の結晶配向と成膜時の基板位置の関係

抄録

高周波マグネトロンスパッタを用いて，チタン薄膜を熱酸化膜のついたシリコン基板上に成膜し，成膜位置による結晶配向の違いをX線回折のロッキングカーブを用いて調べた。基板温度300℃，アルゴン圧力 2.0 Pa，高周波電力 50 Wで作製した場合には，成膜位置による結晶配向の違いは見られなかった。この結果は，タングステン薄膜形成で得られた，外側位置において異なる配向が見られた結果とは異なる。