シリコン表面近傍における光注入価電子正孔系の超高速緩和過程

抄録

時間角度分解2光子光電子差分分光法を用いて、シリコン価電子バンドにおける光注入正孔の超高速緩和動力学を研究した。バルク状態間の直接遷移に起因するピークの時間変化を観測した結果、ピーク強度減少のみでなく、ピーク幅の増大及び低エネルギー側へのエネルギーシフトが誘起されることを明らかにした。これらのピーク形状変化と差分イメージの時間発展を解析し、価電子正孔系の緩和過程を支配する多体相互作用を議論する。