STMによるラインノード半金属NaAlSiの超伝導状態測定

抄録

伝導帯と価電子帯がブリルアンゾーンの線上で交差するギャップレスな電子系はラインノード半金属と呼ばれ、新たなトポロジカル状態として注目を集めている。近年、NaAlSiはラインノード半金属であり、さらに7 Kと比較的高い温度で超伝導転移を示すことが示された。そこで本講演では、NaAlSiで実現している電子状態を明らかにするため極低温走査トンネル顕微鏡測定を行った結果について報告する。