主催: 日本表面真空学会
北海道大学大学院理学院 物質・材料研究機構
大阪大学大学院工学研究科
北海道大学大学院理学院
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半導体上の表面金属超構造はバルクと異なる電子状態をもつ。このような低次元電子状態は電荷移動などの近接効果を利用することで物性を変化させることが出来る。本研究では原子層超伝導体Si(111)-(√7×√3)-InにPTCDA分子とZnPc分子を蒸着し、転移温度を測定した。PTCDAでは転移温度が減少し、ZnPcでは転移温度が上昇した。STM結果から吸着構造がTcの変化に影響していることが分かった。
表面科学講演大会講演要旨集
表面科学学術講演会要旨集
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