前駆体分子による表面合成二次元膜の作製と遷移金属吸着

抄録

超高真空環境の貴金属表面においてTBB分子(1,3,5-tris(4-bromofenyl)benzene)をUllmann couplingさせ二次元格子作製を目指した。基板はAu(001)とCu(111)を用いた。試料観察には、原子分解能を有する走査トンネル顕微鏡および低速電子線回折法を用いた。また、電子構造は走査トンネル分光法と紫外光電子分光法を用いた。詳細を報告する。