STMと光電子分光による超高真空貴金属表面上での包接化合物の作製

抄録

ホスト-ゲスト分子からなる包接化合物は外部刺激応答を示すことが分かっており、溶液やバルク中での研究が進められてきた。今回、我々は原子レベルで平坦な貴金属基板上での包接化合物の合成を行った。超高真空走査トンネル顕微鏡、光電子分光にて吸着構造、電子状態の解明を行った。ゲスト分子はホスト分子膜上に室温で安定に吸着し、一部で包接化合物を形成していると考えられる。