圧電MEMSデバイス向けPbZrTiO₃スパッタ量産化技術

抄録

近年、デバイスサイズの小型化および多機能化の同時実現のため、圧電MEMSとCMOSの混載が求められている。筆者らは、下部電極とPZT間にバッファ層を適用することで、PZTの低温結晶化に成功し、成膜温度485℃においても、パイロクロア相の発生しない、ペロブスカイト単相のPZT膜の形成に成功した。PZTの電気的特性、圧電特性および量産技術の詳細に関して当日報告する。