反応性HiPIMS法による酸素空孔安定化ジルコニア薄膜の形成

抄録

ジルコニアの立方晶を室温で安定させることは，優れた特性を持つジルコニア薄膜を実現させるための重要な課題となっている．室温安定化にはジルコニア格子内の酸素欠損濃度が大きな役割を果たすことが明らかにされている．本研究ではR-HiPIMS法によるピーク電流値安定技術を用いて，同手法のジルコニア膜への酸素空孔導入に対する実現可能性を調査した．その結果，室温安定相である単斜晶ではない結晶相が出現した．