アルコールCVD法によるOs触媒からの単層カーボンナノチューブ

抄録

直径1 nm以下の単層カーボンナノチューブ（SWCNT）はエレクトロニクス材料として有用である。我々はこれまで，Irを触媒に用いることで，直径1 nm程度以下の細径のSWCNTが成長することを報告してきた。本研究では，Osを触媒に用いることで細径のSWCNTが垂直配向して成長することを見出したので報告する。