炭化ケイ素中への単一光子源・スピン欠陥の形成と量子科学技術への応用

抄録

ワイドバンドギャップ半導体のバンドギャップ中に孤立した準位を持つ欠陥の発光やスピンを活用して、単一光子源、量子ビットや量子センサといった量子技術に応用する研究が盛んに行われている。本講演では、ワイドバンドギャップ半導体のひとつである炭化ケイ素（SiC）に着目し、SiC中で単一光子源・スピン欠陥として振る舞う結晶欠陥について、形成方法、及び発光やスピン特性といった特徴、更には応用について紹介する。