CaF₂(111)表面上に成長させたBi₂Te₃超薄膜の電子物性

抄録

MBEを用いてCaF2(111)上に作製したBi2Te3超薄膜の電子構造および電気伝導性を調べた。角度分解光電子分光（ARPES）により、薄膜のフェルミ準位近傍の電子構造は表面バンドと伝導帯バンドから構成されていることが分かった。薄膜の電気伝導度を4端子法で測定し、伝導度が3 QL以上で急に増加することが分かった。この伝導度の増加は主に結晶性の向上に起因すると考えられる。