Liインターカレートしたグラフェンにおけるvan Hove特異性の層数依存性

抄録

グラフェンにおける非従来型超伝導発現にはフェルミ準位近傍でのファンホーベ特異点（VHS）の制御が必要である。本研究では層数制御したグラフェンにLiを侵入させVHSのエネルギーを調べた。2層から層数を増加させるとVHSはフェルミ準位近傍から60meVまで占有準位側へ移動した。第一原理計算を行うと層間相互作用は大きくVHSを移動させるが、基板表面との状態混成がそれを抑制し得ることが分かった。