主催: 日本表面真空学会
国立研究開発法人情報通信研究機構
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InGaAsやGaNなどをチャネル層にもつ高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,周波数100 GHz以上で動作可能であるため超高速無線通信用デバイスとして,またミリ波・サブミリ波帯(30 GHz~3 THz)における未利用周波数帯開拓のキーデバイスとして注目されている.今回,Beyond 5G応用としてミリ波・テラヘルツ波帯無線通信に向けた各種HEMTの高速・高周波化について報告する。
表面科学講演大会講演要旨集
表面科学学術講演会要旨集
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