日本表面真空学会学術講演会要旨集
Online ISSN : 2434-8589
2021年日本表面真空学会学術講演会
セッションID: 3Aa04
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2021年11月5日
Post-5Gに向けた高周波GaN-HEMTの開発動向
*舘野 泰範
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抄録

高周波GaN-HEMTは、より高い周波数領域で高出力・高効率が要求されるアプリケーションを目指した研究開発が精力的に行われており、post-5G用のデバイスとしても大いに期待されている。

本講演では、GaN-HEMTの課題を整理し、それらの課題への取り組み状況や各研究機関におけるGaN-HEMTの研究動向について紹介したい。

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© 2021 日本表面真空学会学術講演会
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