主催: 日本表面真空学会
住友電気工業株式会社
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高周波GaN-HEMTは、より高い周波数領域で高出力・高効率が要求されるアプリケーションを目指した研究開発が精力的に行われており、post-5G用のデバイスとしても大いに期待されている。
本講演では、GaN-HEMTの課題を整理し、それらの課題への取り組み状況や各研究機関におけるGaN-HEMTの研究動向について紹介したい。
表面科学講演大会講演要旨集
表面科学学術講演会要旨集
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