炭化ケイ素半導体のオーミックコンタクト形成機構と特性評価

樋口 真之; 前田 将克; 高橋 康夫; 森本 純司

doi:10.14920/jwstaikai.2010f.0.162.0

平成２２年度秋季全国大会

セッションID: 404

DOI https://doi.org/10.14920/jwstaikai.2010f.0.162.0

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主催: 社団法人溶接学会

炭化ケイ素半導体のオーミックコンタクト形成機構と特性評価

*樋口真之, 前田将克, 高橋康夫, 森本純司

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キーワード: 炭化ケイ素, パワーデバイス, 広禁制帯幅半導体, オーミックコンタクト

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抄録

SiC は次世代パワーエレクトロニクス素子材料として注目され，実用化には低抵抗オーミックコンタクトの形成が必要である．本研究では，P型4H-SiC に対してオーミック特性が得られる Ti3SiC2層を形成するため，SiC 上にTi，Alを蒸着し，ステップ昇温法により熱処理した．その各ステップによる通電特性の変化を調べた．

責任著者(Corresponding author)

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