分子動力学シミュレーションを用いたTiN/Si₃N₄接合界面の強度解析

抄録

本研究では、ろう材を用いた接合に関して、接合強度の一因となる反応層と基板との界面強度に着目し、分子動力学シミュレーションを用いて解析を実施した。Si3N4(11-20)基板上において異なる面方位を取るTiN反応層との界面を対象とし、面方位ごとにTiN/Si3N4界面の解析モデルを作成した。界面エネルギーおよび接着仕事を指標として界面の安定性と強度を算出し、TiN面方位との関係性について調査した。