走査型容量顕微鏡による高誘電率金属酸化物（high-k）薄膜中の電荷トラップサイトの観察

内藤 裕一; 安藤 淳; 小木曽 久人; 神山 聡; 奈良 安雄; 安武 潔; 渡部 平司

doi:10.11410/kenbikyo.43.4_287

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走査型容量顕微鏡による高誘電率金属酸化物（high-k）薄膜中の電荷トラップサイトの観察

内藤裕一, 安藤淳, 小木曽久人, 神山聡, 奈良安雄, 安武潔, 渡部平司

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キーワード: 走査型プローブ顕微鏡（SPM）, 走査型容量顕微鏡（SCM）, 金属―酸化物―半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）, ゲート酸化膜, 高誘電率金属酸化（high-k）膜

ジャーナルフリー

2008 年 43 巻 4 号 p. 287-291

DOI https://doi.org/10.11410/kenbikyo.43.4_287

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抄録

ナノスケールの金属―酸化物―半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）では，ゲート電極と半導体基板（チャネル）を隔てるゲート酸化膜の微視的特性が極めて重要である．いっぽう，次世代MOSFETでは，このゲート酸化膜に従来のSiO₂からより誘電率の高い金属酸化物（high-k）が導入される予定である．本稿ではこのhigh-k膜中に存在する電荷分布を，走査型容量顕微鏡で観察した結果について紹介する．

責任著者(Corresponding author)

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