π共役系拡張スマネン：合成とフォトエレクトロニクス特性

抄録

ボウル型π共役系分子スマネンのベンジル位にアニリン三量体が導入されたπ共役系拡張スマネン誘導体を設計・合成し、その薄膜にレーザー光照射を行うと絶縁体から導電性の薄膜に変性することを見出したので報告する。