高分子論文集
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一般論文
ノボラック系ポジ型レジストにおける現像温度とレジスト特性との関係
齊藤 誠二石黒 啓太高橋 聖司河野 昭彦関口 淳谷口 克人田中 初幸堀邊 英夫
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2012 年 69 巻 11 号 p. 639-645

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抄録

ノボラック系ポジ型レジストにおける現像温度(17.3℃~40.0℃)とレジスト特性との関係を検討した.レジストの初期膜厚とレジストの感度(Eth)との関係をSwing Curveにより評価し,レジスト特性に対する多重干渉波効果(Swing Curveの振幅)とバルク効果(Swing Curveの傾き)の影響を検討した.また,レジストの解像度の評価をシミュレーションにより行った.多重干渉効果とバルク効果は,現像温度に依存しなかった.一方,解像度は,現像温度の上昇とともに向上した.これは,露光部では酸・塩基中和反応が促進され溶解速度が速くなり,未露光部では感光剤のアゾカップリング反応が促進され溶解速度が遅くなるためである.現像温度が22.5℃の時,レジストは最も高感度であった.現像温度が低いと露光部の酸・塩基中和反応が進まずレジストが溶解しにくく,現像温度が高いと露光部に残存する感光剤のアゾカップリング反応が進行しレジストが溶解しにくいためである.現像温度が高くなるほどレジストの解像度は向上するが,現像温度が22.5℃以上ではレジストは低感度となる.感度と解像度の両観点から現像温度が22.5℃のときレジスト特性が最適であると結論づけた.

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© 2012 公益社団法人 高分子学会
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