抄録
カルバゾリルシロキサン (CzSi) 基を側鎖とするコポリシランを合成し, キャストフィルムの表面状態およびその表面電位減衰特性を調べた. コポリシランはCzSi基含有ジクロロシランのWurtz反応 (直接法) とポリ (アリルフェニルシラン-co-メチルフェニルシラン) のヒドロシリル化 (2段階法) により合成した. 得られたコポリシランの収量, 分子量およびカルバゾリル基含有率は合成方法とシロキサン鎖長 (ジシロキサン鎖およびオクタシロキサン鎖) によって大きく変化することがわかった. 電荷発生 (CG) 層上に塗布されたコポリシラン薄膜のATR-FT-IRとESCA分析によって空気側表面およびCG層との界面にシロキサン鎖は偏析することが認められた. また, 表面電位減衰特性の測定の結果, 界面層にシロキサンによる絶縁層が形成されるので, 光導電性は低下するものと推定された.
