レーザー研究
Online ISSN : 1349-6603
Print ISSN : 0387-0200
ISSN-L : 0387-0200
非吸収ミラー構造高出力半導体レーザー
粂 雅博内藤 浩樹太田 一成清水 裕一
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1990 年 18 巻 8 号 p. 569-572

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抄録
We succeeded in the phase locked operation of a 5-element GaAIAs diode laser array emitting 0.6W CW. The diodes use nonabsorbing mirrors (NAM's) for the suppression of catastrophic optical damage (COD) and a buried twin ridge substrate (BTRS) structure for the injection current confinement and for the stabilization of a transverse mode.
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© 社団法人 レーザー学会
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