半導体前工程概論

抄録

半導体は1947 年，アメリカのBell 研究室で発明され，以降，用途の多用化，処理速度，処理量の要望に応じ進化，発展してきた。半導体の変遷はトランジスタの小型化と電子回路パターンの集積化の達成に依存する。1980 年代からはそれまでの微細化技術に加え，安価に大量に生産することが要求特性に組み込まれた。そのため，歩留まり対策として設備のクリーン化，シリコンの洗浄，材料の高純度化が求められるようになった。本論文では，はじめに半導体前工程における製造概略を述べ，ウェーハの洗浄，研磨，リソグラフィーの仕組み，エッジング，光源に分け，使用される材料を解析し，その効果を論じていく。