導体矩形マイクロキャビティの指向性単色放射率に関する放射シミュレーション

抄録

導体矩形マイクロキャビティの指向性単色放射率が熱ふく射の放射を直接解く放射シミュレーションによって求められた．放射シミュレーションは，放射体内部に設置された電気双極子からの放射を解くことで，熱ふく射の放射を計算する方法である．この放射シミュレーションは，２次元計算において，金属平滑面の指向性単色放射率をよく表現する．熱ふく射の起源となる電気双極子放射が定量的に検討されるとともに，マイクロキャビティによる放射率が増加する波長域とキャビティ形状の影響も検討された．