ナノポーラス構造を利用した熱電特性の向上

抄録

ナノポーラス構造の利用で材料の熱輸送特性を抑えたことにより，熱電半導体p型ビスマステルライドの熱電特性を向上させた．基板として二段陽極酸化によって作製したポーラスアルミナを利用し，ポーラス基板上にp型ビスマステルライドを蒸着することでナノポーラス熱電薄膜を生成した．薄膜の面垂直方向の熱浸透率をピコ秒サーモリフレクタンス法で測定，電気的特性を面水平方向で測定した．それらの測定結果より室温での無次元性能指数は1.8とバルク材料値の3倍ほど大きな値が測定された．