超伝導体二ホウ化マグネシウム（MgB2）は金属系超伝導体では最も高い臨界温度（Tc＝39K）を示すことから，種々の応用を見据えた研究が数多くなされている．本稿では，エレクトロニクス応用をめざしたMgB2の低温成膜とジョセフソントンネル接合の作製について紹介する．MgB2薄膜はカルーセル型多元同時スパッタリング装置によりポストアニール処理を用いずに成膜された．サファイア（C面）基板上に基板温度約250°Cで成膜したMgB2薄膜は約28KのTcを示し，薄膜表面のモホロジーは非常に平滑であった．また，この薄膜を下部電極に用いたMgB2/AlN/NbN接合を作製し，良好な準粒子，およびジョセフソントンネリング特性を確認した．
