基礎講座
プロセス・シミュレーション
―イオン注入―
2003 年 72 巻 1 号 p. 77-79
詳細
2003 年 72 巻 1 号 p. 77-79
プロセス・シミュレーションの中のイオン注入シミュレーションに関して，特にモンテカルロイオン注入シミュレーション手法に焦点を当て，その中で使用される物理モデルと計算手法に関して概略を説明する．良好なシミュレーション結果を得るためには，シリコンの結晶構造を忠実に反映するとともに，その熱振動や損傷過程を考慮することが重要である．一方で，電子阻止能のモデルや低エネルギー領域における二体散乱近似の仮定は精度面で問題があり，今後，いっそうの改良が必要である．
