解説
ダブルゲートMOSFETの歴史と現状
2005 年 74 巻 9 号 p. 1171-1177
詳細
2005 年 74 巻 9 号 p. 1171-1177
長らく情報技術(IT)の驚異的な発展をハードウエア面で支えてきた，シリコン集積回路(Si VLSI)を構成するバルクシリコンMOSFETの微細化の限界が危惧され始めてきた中で，これを打破するデバイス構造として，ダブルゲートMOSFETが世界的に注目されている．ところが，このデバイス構造は20年以上前に提案されたものであった．本稿では，ポストバルクMOSFETと期待されるダブルゲートMOSFETの開発の歴史と，現状の新しいダブルゲートデバイス技術について概説するとともに，ダブルゲートMOSFETの新しい技術展開についても述べてみたい．
