研究紹介
高速LSI用ひずみSiウエハー技術
2005 年 74 巻 9 号 p. 1217-1223
詳細
2005 年 74 巻 9 号 p. 1217-1223
Si LSI技術は，素子微細化により情報通信機器の高速・低消費電力化の要求に応えてきたが，微細化だけではLSIの高性能化は限界に近づきつつあり，新たな指導原理が求められている．LSIの構成素子となるMOSFETのチャネル部にひずみを加えて，Siのバンド構造を変調し，キャリアの走行速度を向上させる「ひずみSi技術」がLSIの高機能化に有効との認識が高まりつつある．筆者らは，結晶性に優れた200mm径のひずみSiウエハーの製造技術を確立した．本稿では，その形成手法，ひずみSiウエハーの電気的評価および回路試作結果について紹介する．さらに，ひずみSiのSOI化として注目されているSiGe/SOIの酸化濃縮法を高度化し，SiGe層が薄い場合でも高いひずみ緩和率を得るための手法についても紹介する．
