解説
InN系窒化物半導体のエピタキシー制御とナノ構造作製
2007 年 76 巻 5 号 p. 482-488
詳細
2007 年 76 巻 5 号 p. 482-488
InNの“新しい”禁制帯幅が報告されてから5年ほどが経過し，「InNは何に使えるのか？ 本当に使い物になるのか？」などの質問が出されるようになってきた．本稿では，この問に答えるべく，InNの特長を生かした窒化物系ナノ構造光デバイス実現に向け，最近進展の著しいMBE法によるInN系窒化物のIn極性でのエピタキシー制御について，?分子層レベルの平坦表面・界面の実現，?残留キャリア低減とp型伝導制御の試み，そして?InNを基盤とした窒化物系低次元ナノ構造作製の試みについて，“1分子層”InN井戸/GaNマトリックスMQW構造を中心に紹介する．
