応用物理
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Print ISSN : 0369-8009
最近の展望
次世代実用TCAD開発の現状と課題
中村 光利
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2008 年 77 巻 7 号 p. 818-822

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抄録

半導体素子の開発コスト低減のために,実用的な計算時間内で高精度なシミュレーション結果が得られる実用三次元TCADが現場で必要になっている.実用TCADの分野は,有力海外TCAD会社の統合によって1社のほぼ寡占状態になり,海外ファウンドリーとの協力を強めて競争力を増してきている.一方,国内主要半導体メーカーが協力して開発している実用三次元TCADの現場では,競争力を強化するために,特に機密性が高いプロセスノウハウを必要とし,素子の微細化に伴って要求精度が非常に厳しい不純物分布シミュレーションに力を入れている.本稿では,TCAD応用の現場と,その中で重要な不純物分布シミュレーションの高精度化に着目して現状と課題を述べる.

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© 2008 公益社団法人応用物理学会
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