研究紹介
ワイドバンドギャップ酸化ガリウム半導体
2009 年 78 巻 12 号 p. 1150-1154
詳細
2009 年 78 巻 12 号 p. 1150-1154
酸化ガリウム(Ga2O3)は5eVに及ぶ広いバンドギャップをもち，安全・低コストのプロセスで成長可能なポテンシャルをもつ酸化物半導体の一種である．単結晶基板がすでに開発されていることが大きな特徴で，基板そのものの利用やホモエピタキシャル成長を基礎として研究の進展を図ることができる．本稿では，深紫外光検出器への応用，ホモエピタキシャル層およびヘテロ構造のステップフロー成長など，われわれの研究成果を紹介する．また多様な機能をもつ酸化物材料との混晶化，多層構造の形成も可能で，スピントロニクスをはじめとする新しい複合機能デバイスへの進化も大いに期待される．
