解説
ゲートシリコン酸化膜の絶縁破壊寿命とその分布
2009 年 78 巻 9 号 p. 850-855
詳細
2009 年 78 巻 9 号 p. 850-855
シリコン酸化膜の絶縁破壊は，局所的現象であり，高電界ストレス印加下で進行する劣化も，二次元分布を有している．劣化は膜中の電荷捕獲と密接な関係にあるが，その分布は，希フッ酸エッチングにより現出させることができる．二次元分布の起源として，シリコン酸化膜の表面・界面のラフネス，あるいは膜厚の均一性が大きく関与している．
