研究紹介
High-kゲート絶縁膜の信頼性
2009 年 78 巻 9 号 p. 892-896
詳細
2009 年 78 巻 9 号 p. 892-896
本稿では，High-k（高誘電率）ゲート絶縁膜の信頼性の項目（しきい値変動，絶縁破壊，ノイズ特性）に関して，High-k と SiO2 との信頼性劣化メカニズムとの違いを中心に報告する．NBTI では SiO2と同様の界面準位の劣化以外のHigh-k バルク正孔トラップ，PBTI ではバルク電子トラップの振る舞いの理解が必要である．TDDB では従来正孔が破壊を支配していると考えられてきた SiO2と異なり，電子が破壊を律速する過程が存在する．また1/fノイズ特性も界面トラップのみでなく，絶縁膜のダメージ/トラップを考慮しなければならない．
