プラズマ・プロセス技術

畠山 力三; 節原 裕一; 大岩 徳久; 関根 誠; 豊田 浩孝; 中石 雅文; 中村 敏浩; 中川 秀夫; 永津 雅章; 中村 圭二; 檜森 慎司; 小田 昭紀; 林 信哉; 明石 治朗; 菅原 広剛; 吉村 智; 平田 孝道; 一木 隆範; 野崎 智洋; 佐野 紀彰; 木下 啓蔵; 白井 肇; 古閑 一憲; 土澤 泰; 神谷 利夫; 白藤 立; 辰巳 哲也; 米倉 和賢; 森川 康宏; 根岸 伸幸; 高橋 和生; 秋元 健司; 江利口 浩二; 太田 貴之; 奥村 智洋; 上坂 裕之; 佐藤 孝紀; 布村 正太; 長谷川 明広; 柳生 義人; 白谷 正治; 金子 俊郎; 大竹 浩人

doi:10.11470/oubutsu.79.8_717

解説

プラズマ・プロセス技術

畠山力三, 節原裕一, 大岩徳久, 関根誠, 豊田浩孝, 中石雅文, 中村敏浩, 中川秀夫, 永津雅章, 中村圭二, 檜森慎司, 小田昭紀, 林信哉, 明石治朗, 菅原広剛, 吉村智, 平田孝道, 一木隆範, 野崎智洋, 佐野紀彰, 木下啓蔵, 白井肇, 古閑一憲, 土澤泰, 神谷利夫, 白藤立, 辰巳哲也, 米倉和賢, 森川康宏, 根岸伸幸, 高橋和生, 秋元健司, 江利口浩二, 太田貴之, 奥村智洋, 上坂裕之, 佐藤孝紀, 布村正太, 長谷川明広, 柳生義人, 白谷正治, 金子俊郎, 大竹浩人

著者情報

畠山力三
東北大
節原裕一
阪大
大岩徳久
東芝
関根誠
名大
豊田浩孝
名大
中石雅文
富士通
中村敏浩
京大
中川秀夫
パナソニック
永津雅章
静大
中村圭二
中部大
檜森慎司
東京エレクトロン
小田昭紀
名工大
林信哉
佐賀大
明石治朗
防衛大
菅原広剛
北大
吉村智
阪大
平田孝道
都市大
一木隆範
東大
野崎智洋
東工大
佐野紀彰
京大
木下啓蔵
NEC
白井肇
埼玉大
古閑一憲
九大
土澤泰
NTT
神谷利夫
東工大
白藤立
名大
辰巳哲也
ソニー
米倉和賢
ルネサス
森川康宏
アルバック
根岸伸幸
日立
高橋和生
京都工芸繊維大
秋元健司
NEC
江利口浩二
京大
太田貴之
和歌山大
奥村智洋
パナソニック
上坂裕之
名大
佐藤孝紀
室蘭工大
布村正太
産総研
長谷川明広
富士通
柳生義人
佐世保高専
白谷正治
九大
金子俊郎
東北大
大竹浩人
東北大

ジャーナルフリー

2010 年 79 巻 8 号 p. 717-719

DOI https://doi.org/10.11470/oubutsu.79.8_717

詳細

抄録

プラズマ・プロセス技術クラスターでは，将来的に社会の根幹を支え続けるデバイスを作製プロセスの観点から三つに分類した．それらは，直近のエレクトロニクスデバイス，その先の分子レベルデバイス，究極の原子レベルデバイスである．これらのデバイスの作製プロセスの実現に必要な研究課題をトップダウンプロセス，ボトムアッププロセス，および共通基盤技術に分けて概説した．

責任著者(Corresponding author)

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