解説
高効率電力変換用SiCパワーデバイス
2011 年 80 巻 8 号 p. 673-678
詳細
2011 年 80 巻 8 号 p. 673-678
あらゆる電気・電子機器において高効率の電力変換が求められている．SiCパワーデバイスは，Siに比べて高耐圧，低損失，高速スイッチングという特徴を有しており，これを用いれば高効率で小型の電力変換器を実現することができる．近年，SiC結晶成長およびデバイス作製技術が急速に進展し，ショットキー障壁ダイオードとパワー MOSFETの実用化が始まっている．本稿では，パワーデバイス応用におけるSiC半導体の特徴と材料開発の現状，およびSiCパワーデバイス研究開発の進展と課題について紹介する．
