研究紹介
SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI（Ge on Insulator）の形成―人工単結晶への道―
2012 年 81 巻 5 号 p. 410-414
詳細
2012 年 81 巻 5 号 p. 410-414
Si集積回路のポスト・スケーリング技術として高品質GOI（Ge on Insulator）構造の形成技術が注目を集めている．固化温度の勾配空間をSi -Geミキシングで作り出し，Ge成長を自己組織的に起動する新しい溶融成長法を紹介する．cmに至る巨大単結晶Geや網目状Geが絶縁膜上に実現した．Siマイクロシード技術との重畳で，Si（100）基板上へのGe（111）混載も可能となった．人工単結晶の創成に拍車を掛ける結果と考えられる．
