研究紹介
ウエットエッチングによる原子スケール平坦化
触媒表面基準エッチング法の開発
2013 年 82 巻 5 号 p. 403-406
詳細
2013 年 82 巻 5 号 p. 403-406
原子スケールの表面平坦化技術として，加工基準面を有する新しい化学エッチング，触媒表面基準エッチング法を開発した．SiC(0001)，GaN(0001)，ZnO(0001)，サファイア(0001)を例に，炭化物，窒化物，酸化物単結晶材料の表面処理に適用した結果，幾何学的かつ結晶学的に極めて高度に規定された表面の創製が可能であることを明らかにした．
